Prime Si + wet SiO2 wafer 2 inch, thinckness=279 ±25µm, (100), 1-side polished, p=type (Boron), TTV<10 µm, 1-10 Ohm cm, 500nm dry/wet/dry thermally grown SiO2, INV: 474597

📁 Anunț din arhivă — nu există link direct pe SEAP, dar datele sunt complete mai jos.

Abonează-te pe CPV 24311160-6 Profil autoritate Profil câștigător

Vezi toate pe acest CPV →

Abonează-te și primește email automat când apar anunțuri noi pe CPV-ul 24311160-6.

Abonează-te