AD
SILICON WAFERS DIA. 76.2 MM, TYPE/DOPANT N/As, Orientation: <100>, RESISTIVITY < 0.005 OHMCM, Coating: 50 nm DRY thermal oxide on both wafer sides - 200 BUC; SILICON WAFERS DIA. 76.2 MM, TYPE/DOPANT N/As, Orientation: <100>, RESISTIVITY < 0.005 OHMCM, Coating: 100 nm DRY thermal oxide on both wafer sides - 50 BUC (Inv. 224 13963 )
🏛 INSTITUTUL NATIONAL DE CERCETARE-DEZVOLTARE PENTRU FIZICA MATERIALELOR (CUI 9068280)
📁 Anunț din arhivă — nu există link direct pe SEAP, dar datele sunt complete mai jos.